Постоянное запоминающее устройство (пзу)

Физическое исполнение

Чтобы вы лучше могли познакомиться с постоянной памятью, расскажу больше о ее конфигурации и свойствах:

• Физически представляет собой микросхему со считывающим кристаллом, если входит в комплект компьютера, к примеру. Но бывают и самостоятельные массивы данных (компакт-диск, грампластинка, штрих-код и т. д.).
• ПЗУ состоит из двух частей «А» и «Э». Первая — диодно-трансформаторная матрица, прошиваемая при помощи адресных проводов. Служит для хранения программ. Вторая предназначена для их выдачи.
• Схематически состоит из нескольких одноразрядных ячеек. При записи определенного бита данных выполняется запайка к корпусу (ноль) или к источнику питания (единица). В современных устройствах схемы соединяются параллельно для увеличения разрядности ячеек.
• Объем памяти варьируется от нескольких килобайт до терабайт, в зависимости от того, к какому устройству она применена.

Это интересно: Определение разрешения экрана

ПЗУ с ультрафиолетовым или электрическим стиранием

Но такая ПЗУ-схема, за исключением построения ячейки, структурно не отличается от обычного масочного постоянного запоминающего устройства. Иногда такие устройства называют ещё репрограммируемыми. Но при всех преимуществах имеются и определённые границы скорости стирания информации: для этого действия обычно необходимо около 10-30 минут.

Несмотря на возможность перезаписи, репрограммируемые устройства имеют ограничения по использованию. Так, электроника с ультрафиолетовым стиранием может пережить от 10 до 100 циклов перезаписи. Затем разрушающее влияние излучения становится настолько ощутимым, что они перестают функционировать. Увидеть использование подобных элементов можно в качестве хранилищ для программ BIOS, в видео- и звуковых картах, для дополнительных портов. Но оптимальным относительно перезаписи является принцип электрического стирания. Так, число перезаписей в рядовых устройствах составляет от 100 000 до 500 000! Существуют отдельные ПЗУ-устройства, которые могут работать и больше, но большинству пользователей они ни к чему.

ПЗУ с ультрафиолетовым или электрическим стиранием

И получили такие устройства название «постоянное запоминающее устройство с ультрафиолетовым или электрическим стиранием». Создаются они на основе запоминающей матрицы, в которой ячейки памяти имеют особую структуру. Так, каждая ячейка является МОП-транзистором, в котором затвор сделан из поликристаллического кремния. Похоже на предыдущий вариант, верно? Но особенность этих ПЗУ в том, что кремний дополнительно окружен диэлектриком, обладающим чудесными изолирующими свойствами, — диоксидом кремния. Принцип действия здесь базируется на содержании индукционного заряда, который может храниться десятки лет. Тут есть особенности по стиранию. Так, для ультрафиолетового ПЗУ-устройства необходимо попадание ультрафиолетовых лучей, идущих извне (ультрафиолетовой лампы и т.д.). Очевидно, что с точки зрения простоты эксплуатация постоянных запоминающих устройств с электрическим стиранием является оптимальным, так как для их активации необходимо просто подать напряжение. Принцип электрического стирания был с успехом реализован в таких ПЗУ, как флеш-накопители, которые можно увидеть у многих.

Но такая ПЗУ-схема, за исключением построения ячейки, структурно не отличается от обычного масочного постоянного запоминающего устройства. Иногда такие устройства называют ещё репрограммируемыми. Но при всех преимуществах имеются и определённые границы скорости стирания информации: для этого действия обычно необходимо около 10-30 минут.

Несмотря на возможность перезаписи, репрограммируемые устройства имеют ограничения по использованию. Так, электроника с ультрафиолетовым стиранием может пережить от 10 до 100 циклов перезаписи. Затем разрушающее влияние излучения становится настолько ощутимым, что они перестают функционировать. Увидеть использование подобных элементов можно в качестве хранилищ для программ BIOS, в видео- и звуковых картах, для дополнительных портов. Но оптимальным относительно перезаписи является принцип электрического стирания. Так, число перезаписей в рядовых устройствах составляет от 100 000 до 500 000! Существуют отдельные ПЗУ-устройства, которые могут работать и больше, но большинству пользователей они ни к чему.

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Размещено на http://www.allbest.ru/

Новгородский Государственный университет им. Я. Мудрого

Реферат

На тему «Постоянные запоминающие устройства. Основные характеристики, область применения»

Выполнила: студентка 1 курса гр. 5261

Бронина Ксения

Проверила: Архипова Гелиря Асхатовна

Великий Новгород, 2016 г

1. Понятие постоянного запоминающего устройства

1.1 Основные характеристики ПЗУ

1.2 Классификация ПЗУ

Как освободить ОЗУ

Здесь ответ максимально простой – чтобы полностью освободить ОЗУ, нужно отключить все возможные приложения.

Понятно, что прямо все отключить не получится, ведь многие из них востребованные. Но некоторые отключить можно и в этом помогают такие приложения, как Advanced Task Manager.

Полностью одинаковые приложения доступно для Андроид, iOS и Windows Phone.

Это приложение просто убивает процессы, тем самым освобождая оперативную память.

Изначально программа просто показывает список запущенных процессов и то, сколько они занимают памяти.

Чтобы «убить» какой-то из них, необходимо просто поставить возле него галочку и нажать на надпись BOOST в нижней части окна программы.

Рис. №5. Advanced Task Manager

Вообще, подобные «убийцы процессов» называются task killers.

Список лучших таск-киллеров для Андроид выглядит следующим образом:

• Advanced Task Killer Free;
• Super Task Killer;
• Automatic Task Killer.

Лучшие таск-киллеры для iOS:

• cMemory;
• Battery Life Saver;
• Memory Manger.

Лучшие таск-киллеры для Windows Phone:

• Task Manager;
• ES Task Manager;
• Advanced Task Killer Pro.

Лучшие таск-киллеры для Symbian:

• NStarter;
• SMan;
• GDesk.

Тот же самый процесс можно выполнить и стандартными средствами, правда, далеко не все операционные системы позволяют сделать это.

К примеру, в любой версии Андроид есть свой встроенный менеджер приложений, но он не даёт информации о том, сколько памяти использует приложения (не во всех версиях).

В зависимости от приложения его можно будет удалить, выключить или остановить. Все эти варианты позволяют устройству не тратить свою память на обработку этого приложения.

Чтобы увидеть диспетчер приложений, необходимо зайти в настройки, затем «Приложения», зайти в нужное приложение (да, в каждое придётся заходить отдельно) и там уже видеть кнопки «Удалить», «Выключить» или «Остановить» (будет две кнопки, нужно выбрать лучший вариант).

Рис. №6. Приложение, открытое в стандартном диспетчере приложений для Андроид

Стандартные диспетчеры есть во всех современных операционных системах для телефонов и процесс их использования практически такой же, как и у Андроид.

ПЗУ с ультрафиолетовым или электрическим стиранием

И получили такие устройства название «постоянное запоминающее устройство с ультрафиолетовым или электрическим стиранием». Создаются они на основе запоминающей матрицы, в которой ячейки памяти имеют особую структуру. Так, каждая ячейка является МОП-транзистором, в котором затвор сделан из поликристаллического кремния. Похоже на предыдущий вариант, верно? Но особенность этих ПЗУ в том, что кремний дополнительно окружен диэлектриком, обладающим чудесными изолирующими свойствами, — диоксидом кремния. Принцип действия здесь базируется на содержании индукционного заряда, который может храниться десятки лет. Тут есть особенности по стиранию. Так, для ультрафиолетового ПЗУ-устройства необходимо попадание ультрафиолетовых лучей, идущих извне (ультрафиолетовой лампы и т.д.). Очевидно, что с точки зрения простоты эксплуатация постоянных запоминающих устройств с электрическим стиранием является оптимальным, так как для их активации необходимо просто подать напряжение. Принцип электрического стирания был с успехом реализован в таких ПЗУ, как флеш-накопители, которые можно увидеть у многих.

Но такая ПЗУ-схема, за исключением построения ячейки, структурно не отличается от обычного масочного постоянного запоминающего устройства. Иногда такие устройства называют ещё репрограммируемыми. Но при всех преимуществах имеются и определённые границы скорости стирания информации: для этого действия обычно необходимо около 10-30 минут.

Несмотря на возможность перезаписи, репрограммируемые устройства имеют ограничения по использованию. Так, электроника с ультрафиолетовым стиранием может пережить от 10 до 100 циклов перезаписи. Затем разрушающее влияние излучения становится настолько ощутимым, что они перестают функционировать. Увидеть использование подобных элементов можно в качестве хранилищ для программ BIOS, в видео- и звуковых картах, для дополнительных портов. Но оптимальным относительно перезаписи является принцип электрического стирания. Так, число перезаписей в рядовых устройствах составляет от 100 000 до 500 000! Существуют отдельные ПЗУ-устройства, которые могут работать и больше, но большинству пользователей они ни к чему.

Важно знать разницу между ОЗУ и ПЗУ.

Если вы понимаете эту разницу вы сможете лучше понять, как работает компьютер. ОЗУ и ПЗУ, как различные типы запоминающих устройств, и они оба хранят данные в компьютере

В этой статье мы расскажем вам об основных различиях между этими двумя воспоминаниями, а именно ОЗУ и ПЗУ.

Масочное ПЗУ

В случаях, когда запись ведётся при помощи процесса металлизации и используется маска, такое постоянное запоминающее устройство называется масочным. Адреса ячеек памяти в них подаются на 10 выводов, а конкретная микросхема выбирается с помощью специального сигнала CS. Программирование этого вида ПЗУ осуществляется на заводах, вследствие этого изготовление в мелких и средних объемах невыгодно и довольно неудобно. Но при крупносерийном производстве они являются самым дешевым среди всех постоянных запоминающих устройств, что и обеспечило им популярность.

Схематически от общей массы отличаются тем, что в запоминающей матрице соединения проводников заменены плавкими перемычками, изготовленные из поликристаллического кремния. На стадии производства создаются все перемычки, и компьютер считает, что везде записаны логические единицы. Но во время подготовительного программирования подаётся повышенное напряжение, с помощью которого оставляют логические единицы. При подаче низких напряжений перемычки испаряются, и компьютер считывает, что там логический нуль. По такому принципу действуют программируемые постоянные запоминающие устройства.

1.5 Организация рельефа.

Вертикальная планировка территории решена в основном в небольших насыпях высотой 0.1-0.5м, и выемках до 0.5м (насыпной грунт).

Основные земляные работы на площадке:

• устройство корыта под автопроезды, тротуары, озеленение,
• разработка выемок,
• устройство насыпи.

При этом для организации насыпи проектом намечается использование грунта из выемок, из корыта автопроездов, тротуаров и озеленения с перемещением в насыпь с коэффициентом уплотнения до 0.95м, а под проездами с асфальтобетонным покрытием — с коэффициентом уплотнения 0.98.

Водоотвод на площадке решен посредством ливневой канализации с дождеприемными колодцами.

Можно ли увеличить объем памяти?

Нет, увеличить ее нельзя! Сколько по факту предоставлено ОЗУ производителем, столько и будет. Здесь нельзя как на персональных компьютерах добавить планку с дополнительным объемом, зато можно «выгрузить» лишние приложения и процессы одним из способов, описанных выше.

Еще особое внимание нужно обращать на кэш, который постоянно обрабатывается в памяти телефона. Регулярная очистка хлама поможет повысить работоспособность аппарата и обеспечить непрерывную работу с несколькими приложениями

Для очистки кэша рекомендуем использовать утилиты наподобие Clean Master. Собственно, даже эта программа выполняет свои функции на все 100%, не требуя от пользователя особых умений и навыков.

При покупке устройства обязательно обращайте внимание на количество ОЗУ, но при этом трезво оценивайте возможности телефона. Если вы приобретаете смартфон только для звонков или серфинга в интернете, социальных сетей, достаточно объема в 1-2 Gb, если же собираетесь играть в игры, запускать по несколько приложений, например, фоторедакторы, то нужно покупать телефон с объемом от 3 Gb

На общую же производительность будут влиять и другие важные параметры: количество ядер, частота процессора и т.д.

Схематическое строение ПЗУ

Этот объект электроники изображается в виде устройства, которое по внешнему виду напоминает соединение определённого числа одноразрядных ячеек. Микросхема ПЗУ, несмотря на потенциальную сложность и, казалось бы значительные возможности, по размеру мала. При запоминании определённого бита производится запайка к корпусу (когда записывается нуль) или к источнику питания (когда записывается единица). Для увеличения разрядности ячеек памяти в постоянных запоминающих устройствах микросхемы могут параллельно соединяться. Так и делают производители, чтобы получить современный продукт, ведь микросхема ПЗУ с высокими характеристиками позволяет им быть конкурентными на рынке.

Расшифровка и объяснение

Эти два названия раскрывают суть предмета нашей беседы. Речь идет об энергонезависимом типе памяти, которую можно только считывать. Что это значит?

• Во-первых, на ней хранятся неизменяемые данные, заложенные разработчиком при изготовлении техники, то есть те, без которых ее работа невозможна.
• Во-вторых, термин «энергонезависимый» указывает на то, что при перезагрузке системы данные с нее никуда не деваются, в отличие от того, как это происходит с оперативной памятью.

Стереть информацию с такого устройства можно только специальными методами, к примеру, ультрафиолетовыми лучами.

Требования к составлению ПЗУ

Выполняется ПЗУ по данным топографической съемки, где указываются расположение границ земельного участка и основные данные по проектируемым и существующим на момент составления плана объекты. Кроме того, на схеме в обязательном порядке обозначаются следующее:

• Проектируемые объекты
• Существующие капитальные постройки
• Подъезды и подходы к объектам
• Подземные коммуникации

Проектируемые объекты привязываются к уже существующим на участке с соблюдением расстояний, предусмотренных требованиями санитарных и противопожарных норм. Схема не должна входить в противоречие с общим градостроительным планом участка и прочими регулирующими документами.

На основании положений, определенных в Постановлении правительства РФ № 87 от 16.02.2008 г. (http://base.consultant.ru/cons/cgi/online.cgi?req=doc;base=LAW раздел 2 в ред. от 13.04.2010 г.) СПОЗУ должна включать набор обязательных элементов:

• номер ГПЗУ,
• площадь участка,
• расчет процента застройки,
• показатели строения – состав, общая площадь, этажность и высота,
• характеристика ограждения участка,
• и условные обозначения, использованные при составлении схемы (легенда).

Содержание ПЗУ для ИЖС

План земельного участка для индивидуального жилищного строительства состоит из графической и текстовой частей. В текстовой части отражается следующая информация:

• Описание участка, предназначенного для строительства и показатели капитальных объектов;
• обоснование санитарных разрывов в привязке к границам земельного участка и существующим и планируемым объектам;
• соответствие плана организации участка существующим регламентам или заменяющим их документам об его использовании;
• примерный порядок благоустройства.

Графическая часть ПЗУ выполняется в произвольной форме, без учета особых чертежных требований, но в обязательном порядке отображает:

• размещение существующих объектов и предполагаемых к строительству объектов с проходами и подъездами;
• зоны действия публичных сервитутов, если таковые имеются;
• расположение санитарных разрывов и охранных зон;
• зоны участка и прилегающей территории, подлежащие благоустройству.

При составлении плана земельного участка в графической части не требуется указывать следующие элементы – ливневые стоки, разрезы строения, схемы фасадов и въезды на участок. Следует учитывать, что при предоставлении ПЗУ могут возникнуть дополнительные требования к нему, зависящие от местных ситуационных обстоятельств. Однако никакие дополнительные требования не могут выходить за рамки, определенные в ч. 5-11, ст. 51 Градостроительного

Объемы памяти при использовании в различных единицах техники

Объемы памяти разнятся в зависимости от типа и предназначения ПЗУ. Так в простой бытовой технике вроде стиральных машинок или холодильников можно хватает установленных микроконтроллеров (с их запасов в несколько десятков килобайт), и в редких случаях устанавливается что-то более сложное. Использовать большой объем ПЗУ здесь не имеет смысла, ведь количество электроники невелико, и от техники не требуется сложных вычислений. Для современных телевизоров требуется уже что-то более совершенное. И вершиной сложности является вычислительная техника вроде компьютеров и серверов, ПЗУ для которых, как минимум, вмещают от нескольких гигабайт (для выпущенных лет 15 назад) до десятков и сотен терабайт информации.

Расшифровка и объяснение

Эти два названия раскрывают суть предмета нашей беседы. Речь идет об энергонезависимом типе памяти, которую можно только считывать. Что это значит?

• Во-первых, на ней хранятся неизменяемые данные, заложенные разработчиком при изготовлении техники, то есть те, без которых ее работа невозможна.
• Во-вторых, термин «энергонезависимый» указывает на то, что при перезагрузке системы данные с нее никуда не деваются, в отличие от того, как это происходит с оперативной памятью.

Стереть информацию с такого устройства можно только специальными методами, к примеру, ультрафиолетовыми лучами.

Как узнать, сколько памяти на вашем устройстве

Отвечать на этот вопрос будем поступательно – сначала в зависимости от вида памяти, а затем от операционной системы.

Итак, чтобы узнать объем ОЗУ, необходимо сделать следующее:

для устройств на платформе Android – скачать на Play Market программу CPU-Z, Antutu Benchmark или любой другой тестер;

Рис. №1. ОЗУ в программе CPU-Z и Antutu Benchmark

• для устройств на платформе iOS – скачать в AppStore тот же Antutu Benchmark или любой другой тестер (интерфейс будет точно таким же, как показано на рисунке №1);
• для Windows Phone – зайти в «Настройки», затем открыть пункт «Дополнительно».

Рис. №2. ОЗУ в настройках Windows Phone

На других ОС, вроде BlackBerry, где нет возможности скачать какой-то тестер, остаётся просто заходить на сайт производителя и смотреть там характеристики вашей модели телефона.

Чтобы узнать, сколько на данный момент используется памяти на нужды ПЗУ, необходимо сделать следующее:

Android – скачать любой менеджер задач, к примеру, Clean Master (в главном меню нужно выбрать «Менеджер приложений») и посмотреть, сколько памяти задействовано;

Рис. №3. Объем ПЗУ для каждого приложения в Clean Master

• iOS – тоже скачать менеджер задач, например, «Система изнутри» от Anna Negara
• или другие;
• Symbian – те же менеджеры задач Access Apps, Best TaskMan, Jbak TaskMan и другие.

Та же ситуация и на других платформах – нужно искать менеджеры задач.

Правда, вы легко можете попасть на планировщики, то есть программы, где пользователь может внести в свой календарь какие-то планы.

Поэтому лучше искать по запросу «диспетчер задач».

Что касается Windows Phone, то для этой платформы нет ни единого толкового диспетчера задач: что, безусловно, является огромным упущением.

Здесь есть разве что Device Diagnostics HUB, который показывает общий объем памяти и загруженность процессоров – обычного и графического.

От общего объёма памяти можно отнять примерный объем файлов и получится объем ПЗУ.

Ещё там есть вкладка Processes, которая показывает все запущенные приложения и их объем занимаемой памяти.

Можно тоже взять их общее количество и получить ПЗУ.

Рис. №4. Работа Device Diagnostics HUB

Что же касается общего объёма внутренней памяти, то здесь тоже актуален вариант с тестерами вроде Antutu Benchmark – везде, где показывается ОЗУ, где-то рядом есть и «Внутренняя память» или же Internal Storage.

Что такое встроенная память телефона

Под встроенной (внутренней) памятью телефона понимается та часть системы смартфона, в которой хранится личная информация и данные владельца устройства: его фотографии, аудиозаписи, видео, загруженные приложения, в том числе игры, документы.

Чем больше показатели внутренней памяти девайса, тем больше информации в нем можно хранить без использования внешних носителей или облачного хранилища.

В то же время размеры встроенной памяти никак не отражаются на оперативности девайса и его быстродействии: они определяют только удобство использования смартфона для личных целей.

Объем внутренней памяти указывается как в описании смартфона или на его упаковке, так и в Настройках устройства.

Чтобы узнать размеры встроенной памяти, нужно:

1. открыть меню «Настроек»;
2. перейти в папку «Память»;
3. в строке «Память устройства» будет указан максимальный объем внутренней памяти гаджета, а также количество оставшихся гигабайтов.

Важно помнить, что производитель указывает максимальный размер встроенной памяти смартфона. Фактически пользователю доступен меньший объем: часть памяти используется для хранения операционной системы и установленных производителем программ и приложений

Этот раздел внутренней памяти называется системным, освободить его невозможно. Для хранения данных владельца смартфона предназначен пользовательский раздел, подразделяемый, в свою очередь, на часть для программ и приложений и часть для медиа, аудио и иных файлов.

1.1 Характеристика земельного участка.

Площадка строительства расположена по адресу: г.Ульяновск, Засвияжский район, 5 квартал жилого микрорайона Запад-1 комплекса «Симбирское кольцо» и ограничена:

С запада — территорией детского сада и шоссе А-151 с выездом на Московское шоссе,

С востока — жилыми домами на этапе строительства и ул. Генерала Мельникова,

С юга — жилой застройкой и Александровским парком.

На площадке строительства имеются сооружения ТП и РП, сохраняемых на начало строительства. Инженерные коммуникации выносятся.

Рельеф площадки в основном ровный с перепадом отметок 111.30-110.00 м.абс. Топографический план масштаба 1:500 выполнен ООО «Советникъ» в 2014 году.

Согласно инженерно-геологическим изысканиям, выполненным в 2013г. ЗАО «УльяновскТИСИЗ», площадка с поверхности имеет непригодный слой почвенно-растительного грунта мощностью 0.4м, подлежащего срезки и дальнейшему использованию для устройства проектируемых участков газонов, далее представлены суглинки твердые, туго- и мягкопластичные мощностью 2.0-4.2м. Далее по разрезу залегают пески различной крупности.

Грунтовые воды вскрыты на глубине от 6,5 до 7.2м от поверхности земли, на абсолютных отметках 102.85-104.2м.

Разница между RAM и ROM

Отличия между двумя видами аппаратного обеспечения, заключаются в её сохранности при отключении питания, скорости и возможности доступа к данным.

В оперативной памяти (Random access memory или RAM) информация содержится в последовательно расположенных ячейках к каждой из которых возможно получить доступ посредством программных интерфейсов. RAM содержит данные о выполняемых в текущий момент процессах в системе, таких как программы, игры, содержит значения переменных и списки данных в стеках и очередях. При отключении компьютера или телефона RAM память полностью очищается. По сравнению с ROM памятью она отличается большей скоростью доступа и потреблением энергии.

ROM память работает медленнее, и для своей работы потребляет меньше энергии. Главное отличие заключается в невозможности изменять входящие данные в ПЗУ, в то время как в ОЗУ информация меняется постоянно.

Энергозависимая память

Различные модули памяти, содержащие разные типы DRAM (сверху вниз): DDR SDRAM, SDRAM, EDO DRAM и FPM DRAM

Энергозависимая память — это компьютерная память, которой требуется питание для хранения хранимой информации. Самая современная энергозависимая память полупроводников — это статическая RAM ( SRAM ) или динамическая RAM ( DRAM ). SRAM сохраняет свое содержимое до тех пор, пока подключено питание, и его проще сопрягать, но при этом используется шесть транзисторов на бит. Динамическое ОЗУ сложнее для взаимодействия и управления, требуя регулярных циклов обновления, чтобы предотвратить потерю своего содержимого, но использует только один транзистор и один конденсатор на бит, что позволяет достичь гораздо более высокой плотности и гораздо более низких затрат на бит.

SRAM не подходит для системной памяти настольных компьютеров, где DRAM доминирует, но используется для их кэш-памяти. SRAM — обычное дело в небольших встроенных системах, которым могут потребоваться всего несколько десятков килобайт или меньше. К будущим технологиям энергозависимой памяти, которые призваны заменить SRAM и DRAM или конкурировать с ними, относятся Z-RAM и A-RAM .

Программируемые постоянные запоминающие устройства

ППЗУ оказались достаточно удобными в процессе технологического изготовления, чтобы к ним можно было прибегать при средне- и мелкосерийном производстве. Но такие устройства имеют и свои ограничения — так, записать программу можно только раз (из-за того, что перемычки испаряются раз и навсегда). Из-за такой невозможности использовать постоянное запоминающее устройство повторно, при ошибочном записывании его приходится выбрасывать. В результате повышается стоимость всей произведённой аппаратуры. Ввиду несовершенства производственного цикла эта проблема довольно сильно занимала умы разработчиков устройств памяти. Выходом из этой ситуации стала разработка ПЗУ, которое можно программировать заново многократно.

Скорость

Хотя относительная скорость RAM по сравнению с ROM менялась с течением времени, с 2007 года большие чипы RAM могут считываться быстрее, чем большинство ROM. По этой причине (и для обеспечения единообразного доступа) содержимое ПЗУ иногда копируется в ОЗУ или затеняется перед первым использованием, а затем считывается из ОЗУ.

Письмо

Для тех типов ПЗУ, которые можно электрически модифицировать, скорость записи традиционно была намного ниже скорости чтения, и для этого может потребоваться необычно высокое напряжение, перемещение перемычек для подачи сигналов разрешения записи и специальные коды команд блокировки / разблокировки. Modern NAND Flash обеспечивает наивысшую скорость записи среди всех технологий перезаписываемых ПЗУ со скоростью до 10 ГБ / с , что стало возможным благодаря увеличению инвестиций как в потребительские, так и в корпоративные твердотельные накопители и продукты флэш-памяти для мобильных устройств более высокого класса. На техническом уровне выигрыш был достигнут за счет увеличения параллелизма как в конструкции контроллеров, так и в системе хранения, использования больших кэшей чтения / записи DRAM и реализации ячеек памяти, которые могут хранить более одного бита (DLC, TLC и MLC). Последний подход более подвержен сбоям, но это в значительной степени смягчено за счет избыточного выделения ресурсов (включение резервной емкости в продукт, которая видна только контроллеру накопителя) и за счет усложнения алгоритмов чтения / записи во встроенном ПО накопителя.

1.8 Транспорт.

Подъезд автомобильного транспорта на площадку проектирования предусматривается с ул. Камышинской. Ширина проезжей части от 6м до 7м.

На дворовой и по периметру площадки проектом предусматривается строительство открытых стоянок автомашин с асфальтобетонным покрытием, общих для всех 4-х домов. Общее кол-во составляет 180 м/мест.

Минимальное количество машиномест на стоянке рассчитано по СНиП 2.07.01-89*:

N = (1035×350/1000) = 362м/мест, где

N- количество машиномест;

1035 — численность жильцов домов 24-25;

350- уровень автомобилизации на 1000 жителей;

Таким образом, на площадке обеспечено требуемое временное хранение 25% ед. автомобилей, т.е 91ед., также возможность хранения личного транспорта жильцам домов обеспечена в сущ. гаражах удаленностью до 800м.

Для парковки транспорта маломобильных групп населения проектом намечается организация 2-х машиномест на дворовой территории.