Разгон оперативной памяти ddr4 на amd ryzen и intel core

Формула правильного разгона

Чтобы подобрать оптимальные параметры и сделать настройку памяти ОЗУ такой, чтобы повысить ее производительность, необходимо провести несколько экспериментов с системой, после чего каждый раз измерять то, насколько изменилась её производительность и стабильность.

Но, если посчитать все правильно, то самую оптимальную производительность можно узнать не только с помощью многочисленных экспериментов, но и с помощью расчета формулой. Но после этого все равно придется проводить тесты на стабильность.

Необходимо восстановить Windows 10? Читайте нашу статью о том, как можно это сделать.

Чтобы рассчитать для себя по формле коэффициент эффективности работы ОЗУ нужно разделить рабочую частоту памяти на первый тайминг.

К примеру, если у вас DDR4 2133 МГц с таймингами 15-15-15-29, нужно разделить 2133 на 15. В теории, чем выше полученное число, тем более эффетивной является работа ОЗУ.

Если вы разгоняете оперативную память и не увеличиваете напряжение, то помните, что с поднятием частоты вам нужно будет дополнительно сделать больще тайминги на 1-2 показателя.

По формуле также можно понять, стоит ли поднимать тайминги или это не принесет желаемого результата. Посчитайте и посмотрите, насколько большое число с новыми параметрами в итоге получилось.

Разгон комплекта

Для начала стоит в БИОСе выставить делитель, который позволит максимально увеличить частоту работы оперативной памяти. Далее необходимо увеличить вольтаж, так как чем выше частота работы, тем больше энергии потребуется оборудованию. Выше показателя в полтора вольта поднимать не рекомендуется, но некоторым пользователям удается поднять данное значение до отметки 1,65 вольта.

По окончанию настроек разгона оперативной памяти DDR4 Corsair показатель увеличивается до трех гигагерц, что можно заметить при тестировании в программах или в играх. В то же время разгон с показателя 2133 до 2400 мегагерц дает всего 1-2 процента прироста в играх.

DDR4 Samsung

Данная оперативная память предоставляется в самом простом варианте, то есть без подсветки и без корпуса с радиатором. Есть три вида оперативной памяти от данного производителя, а отличаются они частотами. Далее будет рассмотрен вариант разгона оперативной памяти DDR4 Samsung с частотой 2400.

Внешний вид платы указывает на одностороннее расположение чипов памяти. Маркировка на задней стороне показывает пользователю на то, что модуль от Samsung, объем памяти восемь гигабайт, поколение DDR4, номинальная частота работы 2400 мегагерц, единичный ранг строения и последовательный серийный номер. Номер модели также можно увидеть на самой плате. Последняя цифра указывает на то, что планки, выпущенные в данном времени, относятся ко второй ревизии.

Визуально отмечается только шесть металлических слоев, однако производитель не указывает точное количество. В основу микросхем лег 18-нанометровый кристалл компании-производителя.

Шаг 4.

После увеличения таймингов пробуем запустить ПК и снова провести стресс-тест.

Если у нас все получается, то мы снова можем начать увеличивать частоту на 100 МГц и продолжать делать все так же по кругу.

В тот момент, когда тайминги уже достигли значений 23-24, а память все равно не запускается или ведет себя нестабильно у вас есть две альтернативы:

1. Вы можете остановиться на предыдущих значениях частоты и таймингов и закончить на этом разгон.
2. Не самый лучший выбор, но он все же есть. Можно «поиграть» с напряжением, увеличивая его (максимум до 1,45 V), но все это на ваш страх и риск. Потому что стабильную и долгую работу памяти после напряжения 1,35 никто вам гарантировать не может. Особенно если ваша модуль оперативной памяти не имеют радиаторов и хорошего обдува.

Пошаговая “методика разгона”.

Описание разгона

Для тестирования представлено две планки по четыре гигабайта, разгон оперативной памяти DDR4 2400 начинается с минимальных частот. Для начала можно запустить программу CPU-Z и посмотреть на номинальную частоту оперативной памяти.

После этого нужно установить планки в свои слоты и запустить систему. Не дожидаясь появления значка операционной системы, нужно нажать определенную клавишу, на каждой материнской она разная, и вызвать БИОС. В разделе оперативной памяти, или DRAM, выставляются оптимальные тайминги, подбирается делитель и повышается вольтаж. В некоторых материнских платах есть уже подготовленные настройки по разгону оперативной памяти.

Когда все значения выставлены, можно перезагрузить компьютер и дождаться полной загрузки. После этого можно зайти в «Диспетчер устройств» или воспользоваться CPU-Z, чтобы убедиться в работоспособности планок и их разгона.

Процедура разгона

Сразу после установки оперативка зачастую работает на своей минимальной частоте, либо на частоте, которую официально поддерживает процессор. В нашем случае, Avexir Core DDR4 заработала на своей заявленной штатной частоте 2400 МГц при таймингах 16-16-16-36.

Проводить разгон памяти мы будем при помощи встроенных средств  UEFI-BIOS нашей материнской платы. Уже прошли те времена, когда доступ к настройкам подсистемы памяти в BIOS был тщательно спрятан. Сейчас же они все как на ладони, более того их столько, что даже подготовленный пользователь может растеряться, поэтому производители плат постарались вынести главные переключатели на видное место и сделать процедуру разгона памяти максимально простой и понятной.

И для начала заходим в UEFI-BIOS, нажимая F8 или Del на клавиатуре во время включения ПК, и переходим в раздел Overclocking Mode (OC Mode). Последний может называться немного по другому в зависимости от производителя вашей материнской платы. В этом меню ищем пункт “DRAM Frequency” и выбираем более высокое значение частоты памяти. Стоит отметить, что тут предоставлены допустимые значения на основе готовых XMP-профилей.

Нужно постепенно, шаг за шагом, повышать рабочие частоты памяти. Если “перегнуть палку”, то система может просто не запуститься. Если такое произошло – не паникуйте. Благо, современные материнки аварийно откатывают настройки к значениям по-умолчанию в случае нескольких неудачных запусков подряд, либо же это можно сделать вручную дернув перемычку Clear CMOS на самой плате.

Также частоту памяти, напряжение питания и тайминги можно подбирать экспериментальным методом, более глубоко копнув настройки вашего BIOS, но мы настоятельно советуем делать это только опытным пользователям на свой страх и риск, ведь далеко не факт, что вам удастся подобрать соотношение лучше, чем то что предусмотрено предустановленным XMP-профилем.

Описание процессора и процедура разгона

Процессоры с сокетом 2011 третьей ревизии обладают встроенным контроллером памяти, что не дает раскрыть процессорам данного поколения весь потенциал оперативной памяти, но это с лихвой компенсируется тем, что они предназначены для работы в четырехканальном режиме.

Начинать разгон оперативной памяти Kingston стоит с программы БИОСа

Для начала стоит обратить внимание на базовый генератор, где предстоит выставить число 125 мегагерц, а входное напряжение должно быть равным 1,475 вольта. Там, во вкладке Extreme Tweaker, есть раздел DRAM Timing Control, где выставляются параметры таймингов — 13-16-16-21-1Т

После выставления настроек можно проверить в программах, которые предназначены для диагностики системы. Таким образом, удалось обеспечить разгон оперативной памяти DDR4 HyperX Fury до трех гигагерц. Это самый лучший результат. Разгон оперативной памяти DDR4 с 2133 до 3000 мегагерц позволяет системе быстрее функционировать и отвечать на запросы.

Соковыжималка

С тем, как работает оперативная память, мы разобрались.
Теперь осталось понять, как добиться от нее большей производительности, — и вот
с этим дело не просто. Существует два разных способа разгона памяти. Первый
подразумевает повышение частоты модулей, второй — понижение таймингов. Другими словами:
можно либо увеличивать количество тактов в секунду, либо делать сами такты
более продуктивными. В идеале, конечно, следует использовать оба метода
одновременно, но улучшение одного параметра всегда ведет к ухудшению другого, и
подобрать оптимальный баланс нелегко. Нельзя сказать заранее, что окажется
полезнее вашей системе — высокочастотная память с ослабленными таймингами или
модули, функционирующие на более низкой частоте, но обладающие минимальными
задержками.

Если вы готовы драться за каждый лишний балл в каком-нибудь
PCMark, то мы рекомендуем перепробовать несколько различных соотношений частоты
и таймингов и выбрать тот, что дает наилучший результат конкретно для вашей
системы. В противном случае будет разумнее сначала увеличить тайминги, потом
найти частотный потолок для используемых модулей памяти, а затем попытаться
вновь снизить задержки — как показывает практика, такой подход чаще оказывается
выигрышным. При этом на протяжении всего пути не стоит сильно отклоняться от
базового соотношения таймингов: первые три задержки должны быть примерно
одинаковыми, а для четвертой желательно выставлять значение равное сумме этих
таймингов или чуть ниже.

При разгоне памяти нельзя обойтись без помощи тестов,
измеряющих производительность системы, — именно они позволят оценить, насколько
велик прирост быстродействия вследствие ваших манипуляций и есть ли он вообще. Может
показаться парадоксальным, но порою понижение таймингов или увеличение частоты
оперативки может негативно сказаться на скорости работы компьютера — случаются
такие сюрпризы нечасто, но отмахиваться от них не стоит. В общем, без
бенчмарков никуда. Какое ПО лучше всего использовать? Мы советуем джентльменский
набор из PCMark, Everest и WinRAR (встроенный тест), но
вообще список диагностических утилит для памяти обширен — выбирайте то, что
больше по душе. Кстати говоря, бенчмарки полезны еще и потому, что позволяют
проверить память на стабильность работы. А после того, как разгон будет
считаться завершенным, не помешает дополнительно помучить компьютер
стресс-тестами вроде OCCT и S&M, дабы окончательно убедиться
в стабильности системы.

Проводя эксперименты, не стоит забывать о повышении
напряжения, причем речь идет не только о самих модулях, но и о контроллере
памяти — нередко именно он мешает раскрыть весь потенциал разгоняемых плашек.
Ранее на платформах Intel этот важный элемент системы располагался в северном
мосту чипсета, однако с недавних пор он окончательно переселился в центральные
процессоры, поэтому на современных платформах увеличение напряжения на
контроллере негативно сказывается на температуре ЦП. Таким образом, иногда для
эффективного разгона памяти приходится дополнительно усиливать охлаждение
процессора, а не самих модулей. Предостережем: не повышайте напряжение на
контроллере более чем на четверть, это может привести к печальным последствиям.

Наконец, стоит заранее определиться, каким образом будет
осуществляться разгон. Можно либо воспользоваться специальной утилитой, либо
изменять необходимые параметры непосредственно в BIOS. Мы настоятельно
рекомендуем взять на вооружение второй вариант, поскольку ни одна программа не
в состоянии раскрыть все возможности, предоставляемые системной платой. Соответственно,
перед проведением опытов не помешает внимательно изучить инструкцию к материнке
— это позволит понять, что именно скрывается под тем или иным пунктом в BIOS.
Так уж сложилось, что каждый производитель стремится ввести в обиход свои
собственные обозначения, и даже такие, казалось бы, общепринятые термины, как
названия таймингов, могут варьироваться от платы к плате.

И еще: не стоит сразу впадать в панику, если на определенном
этапе разгона система вдруг напрочь откажется стартовать. Как правило, это означает
лишь, что материнская плата не может автоматически сбросить неприемлемые для
нее настройки BIOS. Встречается данная болезнь не так часто и лечится она
банальным выниманием батарейки из платы. А вот если это не поможет — тогда уже
можно и паниковать.

Разгон оперативной памяти

Все операции в оперативной памяти зависят от:

• частоты
• таймингов
• напряжения

Тестовый образец

Цифра прописанная на планке оперативной памяти не является тактовой частотой. Реальной частотой будет половина от указанной, DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных). Поэтому память DDR-400 работает на частоте 200 МГц, DDR2-800 на частоте 400 МГц, а DDR3-1333 на 666 МГц и т.д.

Итак, если на нашей планке оперативной памяти стоит метка 1600 МГц, значит оперативная память работает на частоте 800 МГц и может выполнить ровно 800 000 000 тактов за 1 секунду. А один такт будет длиться 1/800 000 000 = 125 нс (наносекунд)

Физические ограничения

Мы подобрались к главному в разгоне, а именно физическому ограничению, контроллер просто не успеет зарядить ячейку памяти за 1 шаг, на это требуется потратить времени не меньше, чем определенного физическими законам. А то, что нельзя сделать за 1 шаг, делается за несколько.

физическое ограничение памяти

Например, в нашем случае, требуется потратить около 7 шагов на зарядку. Таким образом, зарядка ячейки длится 875 нс. Полное кол-во шагов, за которые можно выполнить одну операцию, буть то чтение, запись, стирание или зарядка, называют таймингами.

Стоит оговориться и сказать. Есть способ зарядить ячейку быстрее, нужно заряжать её большим напряжением. Если мы увеличиваем базовое напряжение работы оперативной памяти, то получаем преимущество по времени зарядки и следовательно можем уменьшить тайминг, тем самым увеличив скорость.

Итак, мы знает, что частота памяти это количество операций, которое может совершить контроллер за 1 секунду, в то время как тайминги это количество шагов контроллера, требуемое для полного завершения 1 действия.

В оперативной памяти реализовано множество таймингов, каких именно в рамках статьи не имеет особо значения

Важно лишь одно, чем ниже тайминги, тем быстрее работает память

Именно увеличивая частоты, исключительно в сочетании с таймингами можно добиться увеличения производительности.

Стандартные профили таймингов

Качественная материнская плата даёт массу возможностей по оверклокингу. В оперативную память же встроены стандартные профили таймингов, оперативная память точно знает какие тайминги нужно выставлять с предлагаемыми частотами и настойчиво рекомендует «мамке» использовать именно их. Войдя в BIOS в раздел оверклокинга оперативной памяти, первое за что хочется подергать, это частота оперативной памяти. При изменении частоты автоматически пересчитываются таймтинги. По факту вы получаете примерно ту же производительность, но для другой частоты. Кроме того, матплата старается держать тайминги в стабильной зоне работы.

Тайминги наглядно

Продолжаем рассматривать тестовый образец. Как будет вести себя память после разгона?

График таймингов, в зависимости от частоты. Красным обозначено минимальное количество таймингов до преодоления физического ограничения.

Как видим из таблицы и графика, поднимая частоту, нам необходимо увеличивать тайминги, а вот время затрачиваемое на операцию практически не изменяется, как и не растёт скорость.

Как видим, средняя оперативная память с частотой 800 будет равна по производительности оперативной памяти с частотой 2400

На что действительно стоит обратить внимание, так это качество материалов, которые применил производитель. Более качественные модули дадут возможность выставлять более низкие тайминги, а следовательно большее кол-во полезных операций

Для чего используют разгон ОЗУ

Прежде чем приступать к разгону, стоит подумать, действительно ли это необходимо. В основном, этот тип деятельности проводится только для гейминга. Погоня за высокой частотой кадров заставляет не только покупать новое оборудование, но и настраивать текущее, чтобы получить максимальную производительность.

Однако разница будет видна только в некоторых случаях. Это, в основном, относится к интегрированным видеокартам, где оперативная память потребляется видеокартой, которой оснащены процессоры Ryzen. В этом случае ресурс ОЗУ влияет на эффективную работу всего чипа. Конечно, многое зависит и от самих игр. Некоторые из них, в основном, загружают видеокарту, другие, напротив, в большей степени используют вычислительную мощность процессора и оперативную память.

Принимая решение о разгоне, сначала стоит ознакомиться со всеми важнейшими параметрами RAM. Это позволит понять ее специфику, а также лучше подготовиться к самому разгону.

Что понадобится для разгона

Как и в случае с разгоном процессора, цель – увеличить тактовую частоту. Лучшие параметры обеспечат более высокую производительность, а также большую нагрузку. Поэтому ключевым условием является выбор правильного оборудования, которое позволит провести весь процесс безопасным и стабильным способом. Итак, что же нужно?

1. Материнская плата – должна быть хорошего качества, а также обеспечивать достаточный источник питания и поддержку более высоких рабочих частот ОЗУ (стоит проверить это в спецификации платы).
2. Кулеры в корпусе – будут отводить избыточное тепло.
3. Обновленный BIOS и UEFI – возможно, производитель материнской платы предоставил новые функции или оптимизировал предыдущие, что упростит процесс разгона.
4. Программа Memtest – проверка стабильности оперативной памяти после разгона. Конечно, можно использовать и другой диагностический софт.

Основные термины

Прежде чем приступить к разгону, стоит ознакомиться с используемыми терминами:

1. Тактовая частота – это скорость чтения и записи данных контроллером. Это влияет на скорость выполнения вычислений процессором.
2. CL (CAS Latency) – указывает время, необходимое для считывания данных контроллером памяти с момента отправки запроса. Чем ниже значение, тем лучше.
3. RCD (RAS-CAS Delay) – это время, которое проходит с момента завершения выполнения команды CAS, до начала выполнения следующей RAS.
4. RAS (Row Addres Strobe) – указывает время, необходимое для активации банка памяти до загрузки строки. Этот параметр имеет мало значения для производительности.
5. RP (Ras Precharge) – время, необходимое для закрытия банка памяти.
6. Вольтаж – память, предназначенная для разгона, потребляет больше электроэнергии. Питание имеет решающее значение для разгона.

Важно помнить, что CL и тактовая частота должны быть в равновесии – не стоит использовать высоко тактовую память с большими задержками, ведь ее потенциал не будет раскрыт

Что это такое и для чего необходимо

Прежде чем начинать разгон оперативной памяти DDR4, нужно прояснить некоторые нюансы. ОП — это то устройство, которое меньше всего подвергается износу, в отличие от остальных комплектующих в системе. Однако, устроив разгон оперативной памяти DDR4, можно значительно уменьшить ее срок функционирования.

При таких процедурах важно учитывать, что выставлять настройки придется не единожды, так как экспериментировать придется с таймингами, частотами и напряжением. Повышая частоту, можно увеличить задержки тайминга, но тогда скорость работы упадет, потому что именно минимальный показатель отвечает за быстродействие оперативной памяти

Есть три составляющие, которые влияют на разгон оперативной памяти DDR4 — это формат оперативной памяти и ее параметры, разновидность процессора и БИОС материнской платы. Также нужно учитывать профиль ОЗУ, который маркируется как ХМР. Данный профиль указывает на разгонный потенциал оперативной памяти. Существует немало процессоров нового поколения, которые способны раскрыть потенциал ОЗУ, используя встроенный контроллер памяти.

Разгоняют оперативную память для того, чтобы максимально увеличить производительность всей системы, ведь чем выше частоты у данного комплектующего, тем быстрее система сможет отвечать на запросы пользователя. В основном такими процедурами пользуются геймеры, так как в играх требуется большой объем памяти и высокие частоты.

При разгоне всегда повышается вольтаж, поэтому производители оперативной памяти не рекомендуют повышать данный показатель больше чем на полтора вольта. Однако некоторые модули способны выдержать входное напряжение до 1,65 вольта.

Комплектация Kingston HyperX Fury

Комплектация планок оперативной памяти от Kingston довольно скромная и не содержит ничего лишнего. Пластиковый кейс надежно защищает модули от внешних повреждений, которые могут возникнуть при транспортировке. Открыв коробку, можно увидеть помимо планок инструкцию по эксплуатации и наклейку от производителя. В качестве приятного бонуса компания предоставляет пожизненную гарантию на ремонт оперативной памяти, но только в случае покупки в комплекте.

Для лучшего охлаждения модули оснащены защитным корпусом с радиатором. Охлаждение при разгоне играет важную роль, так как повышается энергопотребление и растет тепловыделение.

На задней стороне есть наклейка с данными HX424C15FBK432, которая расшифровывается следующим образом:

• HX — модель оперативной памяти HyperX;
• 4 — принадлежность к стандарту DDR4;
• 24 — определение рабочей частоты 2400 мегагерц;
• C — данная маркировка указывает на то, что оперативная память относится к настольному типу компьютеров;
• 15 — такова задержка чтения данного модуля;
• F — маркировка модели Fury;
• B — обозначение цветового сегмента планки;
• K4 — комплектация, в данном случае — четыре штуки;
• 32 — общий объем оперативной памяти.

Для того чтобы упростить процедуру установки модулей оперативной памяти в материнскую плату, производитель обеспечил возможность автоматического подключения. Данный параметр особенно важен в том случае, если нет возможности самостоятельно настроить показатели работы оперативной памяти.

DDR4-2133 Corsair Vengeance

Как и в предыдущем варианте, данная оперативная память хорошо функционирует с процессорами «Сокет 2011-3» и АМ4. В комплекте четыре планки по четыре гигабайта, форм-фактор соответствует стандарту DIMM, а временная задержка составляет 13-15-15-28. В стандартном режиме ОЗУ работает с частотами от 1333 до 2133 мегагерц, но с профилем XMP второй версии можно начинать разгон оперативной памяти DDR4 Corsair Vengeance с показателей 2133 или 2400 мегагерц.

Комплектация модулей выглядит внушающей — картонная коробка, внутри которой два пластиковых контейнера, в каждом по два модуля. Такая упаковка надежно защищает не только от ударного урона, но и от статических повреждений.

Внешний вид планок выполнен качественно, особенно что касается системы охлаждения самих модулей. Самостоятельно радиаторы, установленные на планках оперативной памяти, могут охладить разогнанные модули, которые работали несколько часов подряд, до 42 градусов по Цельсию.

Есть возможность снять систему охлаждения, но тогда возникает риск повреждения чипов памяти и нарушение гарантии. Между микросхемами и радиатором расположена специальная термопрокладка, которая обеспечивает плотный контакт между ними, заполняя собой все свободное пространство.

Поставщиком чипов для данной оперативной памяти является Hynix — компания, которая поставляет чипы для различных видов комплектующих.

Описание оборудования для разгона ОЗУ Crucial DDR4

Для разгона оперативной памяти Crucial DDR4 используется материнская плата BioStar с сокетом АМ4, форм-фактор которой miniATX. Процессор установлен AMD Ryzen, у которого четыре ядра и восемь потоков. Номинальная частота центрального процессора равна 3700 мегагерц, а кэш третьего уровня доходит до восьми мегабайт.

Для демонстрации прироста понадобится дискретный графический адаптер, в лице которого представлена GeForce GTX 1050Ti. Четыре гигабайта видеопамяти типа GDDR5 обладают 128-битной шиной и 768 CUDA-ядрами.

Блок питания от ZALMAN мощностью 450 ватт обладает бронзовым сертификатом качества международного уровня «80+».

Сама оперативная память представлена в виде одной планки на восемь гигабайт. Ее частота в стоке составляет 2400 мегагерц, а время задержки 17-17-17-42.

Разгон оперативной памяти через БИОС

Разгон оперативной памяти DDR3 примерно такой же как у DDR4. Поиск настроек, тестирование и общий процесс будет проходить одинаково. Однако стоит подробнее разобраться с каждым из возможных вариантов для того, чтобы исключить серьезные ошибки. К тому же, есть два алгоритма разгона, которые отличаются.

Разгон ОЗУ в БИОС Award

Для начала стоит сказать, что мы советуем записать все изначальные настройки системы перед тем, как вы будете что-то менять, а также записывать результаты с определенными параметрами настроек. Так вам будет легче потом вернуть все в обычное состояние, а также не будет проблем, если вы захотите вернуться к одним из настроек, которые пробовали раньше. Записывать лучше на листке, который будет всегда под рукой.

Вам может быть интересна наша статья: Что делать, если не загружается БИОС: проблемы и решение.

Чтобы понять, как разогнать оперативную памяти в БИОСе Award, нажмите на своей клавиатуре одновременно Ctrl + F1, на экране должно появиться большое меню настроек. В настройках ищите “MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)”.

Вы должны увидеть такие настройки ОЗУ как System Memory Multiplier. Для того, чтобы начать работу по увеличению скорости ОЗУ и ее эффективности, вам необходимо менять частоту этого показателя. Так будет идти вниз или вверх показатель тактовой частоты ОЗУ

Важно помнить о том, что если вы хотите увеличить скорость работы ОЗУ, которая стоит на старом процессоре, то множитель для процессора и для памяти будет совпадать. Так что при попытках увеличить эффективность работы своей оперативной памяти, вы автоматически будете одновременно разгонять еще и процессор

Для многих окажется неприятной неожиданностью, но от этого «бага» вы никак не сможете избавиться. А чтобы увеличить эффективность ОЗУ в данном случае понадобится покупать дополнительную аппаратуру, но это особенность старой техники.

В этом же окне настроек вы можете увеличить напряжение, которое подается на оперативную память. Но будьте внимательны, это может делать только человек, который хорошо разбирается в технике потому что такие действия могут привести к непредвиденным последствиям и даже вызвать возгорание. Если вы не сильны в электрике — не трогайте. Также не нужно сильно поднимать напряжение за один раз — на одну десятую Вольта будет достаточно. И если вы все-таки захотели это сделать, проверьте все параметры собственной безопасности и убедитесь в правильных расчетах.

После собственноручной установки необходимой, по вашему мнению, частоты и после того, как вы поменяли напряжение (если знаете, умеете и решились на это), вам нужно выйти стрелкой назад к пункту с основным меню. В основном меню стоит найти “Advanced Chipset Features”. В этом пункте можно выбрать нужные вам тайминги задержки. Но запомните одну деталь: для настройки параметров задержки нужно заранее изменить положение пункта DRAM Timing Selectable из Auto на Manual. По сути, вы выведите его на возможность настраивать вручную.

Как рассчитать необходимую зависимость частот от тайминга, будет рассказано в разделе ниже.

Разгон ОЗУ в БИОСе UEFI

Биос UEFI — самый молодой БИОС из тех, которые устанавливаются на современные компьютеры, поэтому он выглядит очень похожим на операционную систему. Именно поэтому для обычного пользователя намного удобнее настраивать ОЗУ и другие параметры через этот БИОС. В отличие от более старых версий системы, у него есть графика, а также возможность поддержки разных языков, среди которых есть русский.

Прежде, чем начать настройку, следует открыть вкладку “M.I.T.” и выбрать в этой вкладке пункт “Расширенные настройки частот”. В этой версии БИОСа есть русский интерфейс, перепутать будет сложно.

После этого, как и в предыдущем пункте, необходимо начать регулировать настройки памяти. После — перейти в пункт “Расширенные настройки памяти и начать изменять параметры тайминга и напряжения (если вы имеете достаточно опыта и знаний для того, чтобы проводить подобне изменения настроек).

Intel Bloomfield

Любимцы энтузиастов — процессоры Core i7 девятисотой
серии — обладают феноменальной вычислительной мощностью, однако с их помощью
очень сложно заставить память работать на запредельных частотах. Отчасти это
компенсируется тем, что контроллер памяти у Bloomfield может работать в
трехканальном режиме, недоступном другим рассматриваемым платформам.

При работе с Core i7-9хх возможности оверклокерских
модулей, как правило, упираются в недостаточную производительность
процессорного блока Uncore. Последний состоит из контроллера памяти и L3-кэша,
а скорость его работы напрямую зависит от BCLK. При этом существует правило,
что частота этого блока должна быть как минимум в два раза выше частоты работы
памяти, то есть, например, для нормального функционирования плашек в режиме
DDR3-1800 придется завести Uncore на 3600 МГц. Проблема заключается в том, что
этот самый блок получился большим и горячим. Работу в нештатном режиме он не
любит, и подаваемое на него напряжение необходимо существенно увеличивать (но
не выставлять выше 1,4 В!). В итоге, даже если не разгонять вычислительные
блоки процессора, Uncore с частотой 4000 МГц разогреет кристалл так, что не
всякий кулер справится. Поэтому пересечь черту в 2000 МГц для памяти, не применяя
серьезное охлаждение, крайне сложно. А поскольку разгонять память, не повышая
частоту процессора, не очень разумно, можно констатировать, что
среднестатистическому компьютеру на базе Bloomfield скоростная память вообще не
нужна — какой-нибудь DDR3-1600 хватит с лихвой.

Любопытно, что модели семейства Core i7-9хх предоставляют в
распоряжение пользователя внушительный набор множителей для памяти — они
покрывают диапазон от 6х до 16х с шагом 2х. Для Uncore множитель так и вовсе
можно выкручивать до 42х. Ну а поскольку штатная частота BCLK у Bloomfield
равна 133 МГц, к максимально возможным для памяти значениям частоты можно
подобраться, даже не трогая тактовый генератор. Впрочем, играясь и с BCLK, и с
множителем, опытный оверклокер в любом случае сможет выжать из плашек еще
немного бонусных мегагерц.

* * *

Как видно, изменять опорную частоту при более-менее
серьезном разгоне памяти приходится практически всегда (а если бы на свете не
существовало Sandy Bridge, это высказывание было бы еще более категоричным).
Да, порою серьезных частот можно достичь посредством одних лишь множителей,
однако шаг между доступными для активации значениями частоты в этом случае
оказывается слишком велик, поэтому для более точного нахождения частотного
потолка все равно приходится шаманить с тактовым генератором. Ну а это, как
известно, приводит к изменению частоты процессора.

Мораль такова: если уж заниматься разгоном памяти серьезно,
то параллельно стоит разгонять и процессор. В самом деле, зачем выжимать все
соки из плашек и одновременно пытаться сдерживать рабочую частоту процессора,
если даже незначительный разгон ЦП даст куда больший эффект, чем все опыты над
памятью? Таким образом, прежде чем браться за разгон памяти, будет неплохо
узнать, какие частоты способен покорить ваш процессор. Ну а после придется
искать баланс между скоростью работы кристалла и частотой/таймингами
оперативки, ведь обычно выставить максимально привлекательные значения обоих
компонентов разом не получается.

Сложно? Что ж, никто не мешает вам просто слегка подкрутить
тайминги или увеличить множитель памяти, а после наслаждаться свалившимся из
ниоткуда быстродействием, не углубляясь в дальнейший разгон компьютера. Не
хотите раскрывать весь потенциал системы — не надо. Ну а господам энтузиастам
мы желаем удачи в этом нелегком, но интересном деле.